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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS630A4H
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CS630A4H |
| Référence EBEE | E8140742 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 200V 9A 83W 280mΩ@10V,5.4A 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3031 | $ 1.5155 |
| 50+ | $0.2391 | $ 11.9550 |
| 150+ | $0.2116 | $ 31.7400 |
| 500+ | $0.1774 | $ 88.7000 |
| 2500+ | $0.1622 | $ 405.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS630A4H | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 280mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | - | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 10pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 600pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3031 | $ 1.5155 |
| 50+ | $0.2391 | $ 11.9550 |
| 150+ | $0.2116 | $ 31.7400 |
| 500+ | $0.1774 | $ 88.7000 |
| 2500+ | $0.1622 | $ 405.5000 |
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