Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS5N65FA9R


Fabricant
Référence Fabricant
CS5N65FA9R
Référence EBEE
E8140746
Boîtier
TO-220F
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
650V 5A 30W 2.8Ω@10V,2A 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>
684 En stock pour livraison rapide
684 disponible pour livraison immédiate
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$0.3617$ 0.3617
10+$0.2865$ 2.8650
50+$0.2543$ 12.7150
100+$0.2141$ 21.4100
500+$0.1962$ 98.1000
1000+$0.1855$ 185.5000
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueWuxi China Resources Huajing Microelectronics CS5N65FA9R
RoHS
TypeN-Channel
RDS (on)2.8Ω@10V
Température de fonctionnement-
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)-
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation30W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)5A
Ciss-Input Capacitance-
Output Capacitance(Coss)-
Gate Charge(Qg)14.5nC@10V

Guide d’achat

Développer