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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS55N06A4
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CS55N06A4 |
| Référence EBEE | E8442410 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 55A 69.5W 10mΩ@10V,20A 1.9V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3329 | $ 1.6645 |
| 50+ | $0.2637 | $ 13.1850 |
| 150+ | $0.2341 | $ 35.1150 |
| 500+ | $0.1971 | $ 98.5500 |
| 2500+ | $0.1806 | $ 451.5000 |
| 5000+ | $0.1707 | $ 853.5000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS55N06A4 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 10mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 123pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 69.5W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.37nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 164pF | |
| Gate Charge(Qg) | 50.7nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3329 | $ 1.6645 |
| 50+ | $0.2637 | $ 13.1850 |
| 150+ | $0.2341 | $ 35.1150 |
| 500+ | $0.1971 | $ 98.5500 |
| 2500+ | $0.1806 | $ 451.5000 |
| 5000+ | $0.1707 | $ 853.5000 |
