| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CS4N70FA9R |
| Référence EBEE | E82833625 |
| Boîtier | TO-220F |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 700V 4A 2.55Ω@10V,2A 30W 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3878 | $ 0.3878 |
| 10+ | $0.3063 | $ 3.0630 |
| 50+ | $0.2716 | $ 13.5800 |
| 100+ | $0.2279 | $ 22.7900 |
| 500+ | $0.2082 | $ 104.1000 |
| 1000+ | $0.1962 | $ 196.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N70FA9R | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 3Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 700V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 606pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 48pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.7nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3878 | $ 0.3878 |
| 10+ | $0.3063 | $ 3.0630 |
| 50+ | $0.2716 | $ 13.5800 |
| 100+ | $0.2279 | $ 22.7900 |
| 500+ | $0.2082 | $ 104.1000 |
| 1000+ | $0.1962 | $ 196.2000 |
