| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CS13N50FA9R |
| Référence EBEE | E8162376 |
| Boîtier | TO-220F |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 500V 13A 500mΩ@10V,6.5A 42W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6702 | $ 0.6702 |
| 10+ | $0.5402 | $ 5.4020 |
| 50+ | $0.4759 | $ 23.7950 |
| 100+ | $0.4116 | $ 41.1600 |
| 500+ | $0.3734 | $ 186.7000 |
| 1000+ | $0.3550 | $ 355.0000 |
| 2000+ | $0.3504 | $ 700.8000 |
| 4000+ | $0.3474 | $ 1389.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS13N50FA9R | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 500mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 11pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 42W | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.957nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 195pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6702 | $ 0.6702 |
| 10+ | $0.5402 | $ 5.4020 |
| 50+ | $0.4759 | $ 23.7950 |
| 100+ | $0.4116 | $ 41.1600 |
| 500+ | $0.3734 | $ 186.7000 |
| 1000+ | $0.3550 | $ 355.0000 |
| 2000+ | $0.3504 | $ 700.8000 |
| 4000+ | $0.3474 | $ 1389.6000 |
