| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CS12N60FA9R |
| Référence EBEE | E8162373 |
| Boîtier | TO-220F |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 600V 12A 42W 750mΩ@10V,6A 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4331 | $ 0.4331 |
| 10+ | $0.3839 | $ 3.8390 |
| 50+ | $0.3601 | $ 18.0050 |
| 100+ | $0.3363 | $ 33.6300 |
| 500+ | $0.3221 | $ 161.0500 |
| 1000+ | $0.3141 | $ 314.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS12N60FA9R | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 750mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | - | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 10pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 42W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.98nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4331 | $ 0.4331 |
| 10+ | $0.3839 | $ 3.8390 |
| 50+ | $0.3601 | $ 18.0050 |
| 100+ | $0.3363 | $ 33.6300 |
| 500+ | $0.3221 | $ 161.0500 |
| 1000+ | $0.3141 | $ 314.1000 |
