| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BT25T120CKR |
| Référence EBEE | E8696830 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 208W 50A 1.2kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8783 | $ 1.8783 |
| 10+ | $1.6250 | $ 16.2500 |
| 30+ | $1.4657 | $ 43.9710 |
| 100+ | $1.3028 | $ 130.2800 |
| 500+ | $1.2287 | $ 614.3500 |
| 1000+ | $1.1961 | $ 1196.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics BT25T120CKR | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 50A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 208W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 198ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 34ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Capacité d'entrée (Cies-Vce) | 2.37nF@30V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 5.8V@250uA | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 145nC@25A,15V | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | - | |
| Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff) | 0.95mJ | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | 1.88mJ | |
| Tension de saturation des émetteurs de collecteur (VCE(sat)-Ic,Vge) | 1.95V@25A,15V | |
| Tension avancée de diode (Vf-If) | 2.7V@25A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8783 | $ 1.8783 |
| 10+ | $1.6250 | $ 16.2500 |
| 30+ | $1.4657 | $ 43.9710 |
| 100+ | $1.3028 | $ 130.2800 |
| 500+ | $1.2287 | $ 614.3500 |
| 1000+ | $1.1961 | $ 1196.1000 |
