| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WPM2031-3/TR |
| Référence EBEE | E8240201 |
| Boîtier | SOT-723 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 600mA 495mΩ@4.5V,450mA 360mW 650mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-723 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0490 | $ 0.4900 |
| 100+ | $0.0433 | $ 4.3300 |
| 300+ | $0.0404 | $ 12.1200 |
| 1000+ | $0.0349 | $ 34.9000 |
| 5000+ | $0.0332 | $ 166.0000 |
| 8000+ | $0.0323 | $ 258.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | WILLSEMI(Will Semicon) WPM2031-3/TR | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 882mΩ@1.8V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 10.2pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 420mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 810mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 650mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 74.5pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 10.8pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0490 | $ 0.4900 |
| 100+ | $0.0433 | $ 4.3300 |
| 300+ | $0.0404 | $ 12.1200 |
| 1000+ | $0.0349 | $ 34.9000 |
| 5000+ | $0.0332 | $ 166.0000 |
| 8000+ | $0.0323 | $ 258.4000 |
