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WILLSEMI(Will Semicon) WNM6001-3/TR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WNM6001-3/TR |
| Référence EBEE | E8239589 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 500mA 690mW 2Ω@10V,500mA 2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0280 | $ 0.5600 |
| 200+ | $0.0230 | $ 4.6000 |
| 600+ | $0.0194 | $ 11.6400 |
| 2000+ | $0.0164 | $ 32.8000 |
| 10000+ | $0.0159 | $ 159.0000 |
| 20000+ | $0.0157 | $ 314.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | WILLSEMI(Will Semicon) WNM6001-3/TR | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.7Ω@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 690mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 500mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 23.37pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 7.33pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.2nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 20+ | $0.0280 | $ 0.5600 |
| 200+ | $0.0230 | $ 4.6000 |
| 600+ | $0.0194 | $ 11.6400 |
| 2000+ | $0.0164 | $ 32.8000 |
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