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WILLSEMI(Will Semicon) WNM4009-3/TR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WNM4009-3/TR |
| Référence EBEE | E82931329 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | SOT-23 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1098 | $ 0.5490 |
| 50+ | $0.0965 | $ 4.8250 |
| 150+ | $0.0908 | $ 13.6200 |
| 500+ | $0.0837 | $ 41.8500 |
| 3000+ | $0.0805 | $ 241.5000 |
| 6000+ | $0.0786 | $ 471.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | WILLSEMI(Will Semicon) WNM4009-3/TR | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 310mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 14pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.15W | |
| Drain to Source Voltage | 110V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 317pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 28pF | |
| Gate Charge(Qg) | 7.5nC@10V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1098 | $ 0.5490 |
| 50+ | $0.0965 | $ 4.8250 |
| 150+ | $0.0908 | $ 13.6200 |
| 500+ | $0.0837 | $ 41.8500 |
| 3000+ | $0.0805 | $ 241.5000 |
| 6000+ | $0.0786 | $ 471.6000 |
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