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WILLSEMI(Will Semicon) WNM2046E-3/TR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WNM2046E-3/TR |
| Référence EBEE | E82939849 |
| Boîtier | DFN1006-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | DFN-3L(1x0.6) MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 20+ | $0.0301 | $ 0.6020 |
| 200+ | $0.0238 | $ 4.7600 |
| 600+ | $0.0203 | $ 12.1800 |
| 2000+ | $0.0182 | $ 36.4000 |
| 10000+ | $0.0164 | $ 164.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | WILLSEMI(Will Semicon) WNM2046E-3/TR | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.5Ω@1.8V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 480mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 29pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 11pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
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|---|---|---|
| 20+ | $0.0301 | $ 0.6020 |
| 200+ | $0.0238 | $ 4.7600 |
| 600+ | $0.0203 | $ 12.1800 |
| 2000+ | $0.0182 | $ 36.4000 |
| 10000+ | $0.0164 | $ 164.0000 |
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