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WILLSEMI(Will Semicon) WNM2046C-3/TR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WNM2046C-3/TR |
| Référence EBEE | E8506106 |
| Boîtier | DFN1006-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 550mA 420mΩ@4.5V,350mA 270mW 700mV@250uA 1 N-Channel DFN1006-3L MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0733 | $ 0.7330 |
| 100+ | $0.0586 | $ 5.8600 |
| 300+ | $0.0512 | $ 15.3600 |
| 1000+ | $0.0457 | $ 45.7000 |
| 5000+ | $0.0413 | $ 206.5000 |
| 10000+ | $0.0391 | $ 391.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | WILLSEMI(Will Semicon) WNM2046C-3/TR | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 420mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 450mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 600mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 30pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 100+ | $0.0586 | $ 5.8600 |
| 300+ | $0.0512 | $ 15.3600 |
| 1000+ | $0.0457 | $ 45.7000 |
| 5000+ | $0.0413 | $ 206.5000 |
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