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WILLSEMI(Will Semicon) WNM2046-3/TR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WNM2046-3/TR |
| Référence EBEE | E8239671 |
| Boîtier | DFN1006-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | DFN-3L(1x0.6) MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0368 | $ 0.3680 |
| 100+ | $0.0292 | $ 2.9200 |
| 300+ | $0.0254 | $ 7.6200 |
| 1000+ | $0.0225 | $ 22.5000 |
| 5000+ | $0.0202 | $ 101.0000 |
| 10000+ | $0.0191 | $ 191.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | WILLSEMI(Will Semicon) WNM2046-3/TR | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 600mΩ@1.8V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 8.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 320mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 850mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 710mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 50.6pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 13.2pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 10+ | $0.0368 | $ 0.3680 |
| 100+ | $0.0292 | $ 2.9200 |
| 300+ | $0.0254 | $ 7.6200 |
| 1000+ | $0.0225 | $ 22.5000 |
| 5000+ | $0.0202 | $ 101.0000 |
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