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WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WG50N65DHWQ |
| Référence EBEE | E83193695 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 278W 91A 650V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9894 | $ 3.9894 |
| 200+ | $1.5443 | $ 308.8600 |
| 600+ | $1.4897 | $ 893.8200 |
| 1200+ | $1.4623 | $ 1754.7600 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | FS(Field Stop) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 91A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 278W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 163ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 66ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Capacité d'entrée (Cies-Vce) | - | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2V@15V,50A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 160nC | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 105ns | |
| Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff) | 0.6mJ | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | 1.7mJ |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9894 | $ 3.9894 |
| 200+ | $1.5443 | $ 308.8600 |
| 600+ | $1.4897 | $ 893.8200 |
| 1200+ | $1.4623 | $ 1754.7600 |
