| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WMO50N06TS |
| Référence EBEE | E83030917 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 50A 20mΩ@4.5V,5A 69.4W 1.2V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2884 | $ 1.4420 |
| 50+ | $0.2336 | $ 11.6800 |
| 150+ | $0.2101 | $ 31.5150 |
| 500+ | $0.1808 | $ 90.4000 |
| 2500+ | $0.1600 | $ 400.0000 |
| 5000+ | $0.1520 | $ 760.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wayon WMO50N06TS | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 50A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 20mΩ@4.5V,5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 69.4W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 98pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2690pF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 46nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2884 | $ 1.4420 |
| 50+ | $0.2336 | $ 11.6800 |
| 150+ | $0.2101 | $ 31.5150 |
| 500+ | $0.1808 | $ 90.4000 |
| 2500+ | $0.1600 | $ 400.0000 |
| 5000+ | $0.1520 | $ 760.0000 |
