| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WMO35N06T1 |
| Référence EBEE | E838132135 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 35A 25mΩ@4.5V,35A 44.6W 1.65V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2223 | $ 1.1115 |
| 50+ | $0.1789 | $ 8.9450 |
| 150+ | $0.1603 | $ 24.0450 |
| 500+ | $0.1371 | $ 68.5500 |
| 2500+ | $0.1267 | $ 316.7500 |
| 5000+ | $0.1205 | $ 602.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wayon WMO35N06T1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 35A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V,35A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 44.6W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.65V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 74pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1750pF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 14.5nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2223 | $ 1.1115 |
| 50+ | $0.1789 | $ 8.9450 |
| 150+ | $0.1603 | $ 24.0450 |
| 500+ | $0.1371 | $ 68.5500 |
| 2500+ | $0.1267 | $ 316.7500 |
| 5000+ | $0.1205 | $ 602.5000 |
