| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WMO25N10T1 |
| Référence EBEE | E87498782 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 25A 53.2W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1868 | $ 0.9340 |
| 50+ | $0.1503 | $ 7.5150 |
| 150+ | $0.1347 | $ 20.2050 |
| 500+ | $0.1151 | $ 57.5500 |
| 2500+ | $0.1065 | $ 266.2500 |
| 5000+ | $0.1012 | $ 506.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wayon WMO25N10T1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 25A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 53.2W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 50pF@50V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2332pF@50V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 37.9nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1868 | $ 0.9340 |
| 50+ | $0.1503 | $ 7.5150 |
| 150+ | $0.1347 | $ 20.2050 |
| 500+ | $0.1151 | $ 57.5500 |
| 2500+ | $0.1065 | $ 266.2500 |
| 5000+ | $0.1012 | $ 506.0000 |
