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Wayon WMO175N10LG2


Fabricant
Référence Fabricant
WMO175N10LG2
Référence EBEE
E83030934
Boîtier
TO-252
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
100V 44A 25mΩ@4.5V,10A 65.8W 1V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS
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30+$0.1969$ 5.9070
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500+$0.1728$ 86.4000
1000+$0.1684$ 168.4000
2500+$0.1662$ 415.5000
5000+$0.1647$ 823.5000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueWayon WMO175N10LG2
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Tension de source de égout (Vdss)100V
Courant de drainage continu (Id)44A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)25mΩ@4.5V,10A
Dissipation de puissance (Pd)65.8W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)1V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)11pF@50V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)1.17nF@50V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)17.8nC@10V

Guide d’achat

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