| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WMO175N10LG2 |
| Référence EBEE | E83030934 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 44A 25mΩ@4.5V,10A 65.8W 1V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2413 | $ 0.2413 |
| 10+ | $0.2102 | $ 2.1020 |
| 30+ | $0.1969 | $ 5.9070 |
| 100+ | $0.1802 | $ 18.0200 |
| 500+ | $0.1728 | $ 86.4000 |
| 1000+ | $0.1684 | $ 168.4000 |
| 2500+ | $0.1662 | $ 415.5000 |
| 5000+ | $0.1647 | $ 823.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wayon WMO175N10LG2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 44A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 65.8W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 11pF@50V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.17nF@50V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 17.8nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2413 | $ 0.2413 |
| 10+ | $0.2102 | $ 2.1020 |
| 30+ | $0.1969 | $ 5.9070 |
| 100+ | $0.1802 | $ 18.0200 |
| 500+ | $0.1728 | $ 86.4000 |
| 1000+ | $0.1684 | $ 168.4000 |
| 2500+ | $0.1662 | $ 415.5000 |
| 5000+ | $0.1647 | $ 823.5000 |
