| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WMO15N10T1 |
| Référence EBEE | E83030962 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 14.6A 90mΩ@10V,14.6A 41.7W 1.2V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1249 | $ 0.6245 |
| 50+ | $0.1030 | $ 5.1500 |
| 150+ | $0.0921 | $ 13.8150 |
| 500+ | $0.0840 | $ 42.0000 |
| 2500+ | $0.0746 | $ 186.5000 |
| 5000+ | $0.0713 | $ 356.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wayon WMO15N10T1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 14.6A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 90mΩ@10V,14.6A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 41.7W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 42pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.22nF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 20.6nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1249 | $ 0.6245 |
| 50+ | $0.1030 | $ 5.1500 |
| 150+ | $0.0921 | $ 13.8150 |
| 500+ | $0.0840 | $ 42.0000 |
| 2500+ | $0.0746 | $ 186.5000 |
| 5000+ | $0.0713 | $ 356.5000 |
