| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WMO10N70C4 |
| Référence EBEE | E87498790 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 700V 8A 520mΩ@10V,1A 27W [email protected] 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5275 | $ 0.5275 |
| 10+ | $0.4206 | $ 4.2060 |
| 30+ | $0.3734 | $ 11.2020 |
| 100+ | $0.3154 | $ 31.5400 |
| 500+ | $0.2900 | $ 145.0000 |
| 1000+ | $0.2737 | $ 273.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wayon WMO10N70C4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 700V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 520mΩ@10V,1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 27W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.95pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 415pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 9.6nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5275 | $ 0.5275 |
| 10+ | $0.4206 | $ 4.2060 |
| 30+ | $0.3734 | $ 11.2020 |
| 100+ | $0.3154 | $ 31.5400 |
| 500+ | $0.2900 | $ 145.0000 |
| 1000+ | $0.2737 | $ 273.7000 |
