Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris

Wayon WMB115N15HG4


Fabricant
Référence Fabricant
WMB115N15HG4
Référence EBEE
E837723593
Boîtier
PDFN5060-8L
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
150V 75A 125W 11.5mΩ@10V,20A 3V@250uA 1 N-channel PDFN5060-8L MOSFETs ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>
2036 En stock pour livraison rapide
2036 disponible pour livraison immédiate
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$0.9897$ 0.9897
10+$0.8295$ 8.2950
30+$0.7405$ 22.2150
100+$0.6408$ 64.0800
500+$0.5964$ 298.2000
1000+$0.5767$ 576.7000
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueWayon WMB115N15HG4
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)150V
Courant de drainage continu (Id)75A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)11.5mΩ@10V,20A
Dissipation de puissance (Pd)125W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)3V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)9.4pF@75V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)3310pF@75V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)45nC@10V

Guide d’achat

Développer