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Wayon WM02N50M
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WM02N50M |
| Référence EBEE | E83030966 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 5A 1.25W 24mΩ@4.5V,5A 1V@250uA SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0509 | $ 0.5090 |
| 100+ | $0.0415 | $ 4.1500 |
| 300+ | $0.0368 | $ 11.0400 |
| 3000+ | $0.0319 | $ 95.7000 |
| 6000+ | $0.0291 | $ 174.6000 |
| 9000+ | $0.0276 | $ 248.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wayon WM02N50M | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 24mΩ@4.5V,5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.25W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 105pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 700pF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
Guide d’achat
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| 100+ | $0.0415 | $ 4.1500 |
| 300+ | $0.0368 | $ 11.0400 |
| 3000+ | $0.0319 | $ 95.7000 |
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