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Wayon WM02DN48M3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | WM02DN48M3 |
| Référence EBEE | E83030933 |
| Boîtier | SOT-23-6L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 4.8A 1W 40mΩ@2.5V,4A 1.2V@250uA SOT-23-6L MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0773 | $ 0.7730 |
| 100+ | $0.0630 | $ 6.3000 |
| 300+ | $0.0559 | $ 16.7700 |
| 3000+ | $0.0484 | $ 145.2000 |
| 6000+ | $0.0440 | $ 264.0000 |
| 9000+ | $0.0420 | $ 378.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wayon WM02DN48M3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 4.8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 40mΩ@2.5V,4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 65pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 515pF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 60nC |
Guide d’achat
Développer
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0773 | $ 0.7730 |
| 100+ | $0.0630 | $ 6.3000 |
| 300+ | $0.0559 | $ 16.7700 |
| 3000+ | $0.0484 | $ 145.2000 |
| 6000+ | $0.0440 | $ 264.0000 |
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