| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SUP70040E-GE3 |
| Référence EBEE | E85932057 |
| Boîtier | TO-220AB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 120A 125W 4mΩ@10V,20A 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4740 | $ 4.4740 |
| 200+ | $1.7853 | $ 357.0600 |
| 500+ | $1.7268 | $ 863.4000 |
| 1000+ | $1.6958 | $ 1695.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SUP70040E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 120A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4mΩ@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 125W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 165pF@50V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 5.1nF@50V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 120nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4740 | $ 4.4740 |
| 200+ | $1.7853 | $ 357.0600 |
| 500+ | $1.7268 | $ 863.4000 |
| 1000+ | $1.6958 | $ 1695.8000 |
