| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SUM90330E-GE3 |
| Référence EBEE | E87325094 |
| Boîtier | TO-263(D2PAk) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 35.1A 125W 37.5mΩ@10V,12.2A 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAk) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9816 | $ 1.9816 |
| 200+ | $0.7912 | $ 158.2400 |
| 500+ | $0.7651 | $ 382.5500 |
| 800+ | $0.7512 | $ 600.9600 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SUM90330E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 35.1A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 37.5mΩ@10V,12.2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 125W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 11pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.172nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 32nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9816 | $ 1.9816 |
| 200+ | $0.7912 | $ 158.2400 |
| 500+ | $0.7651 | $ 382.5500 |
| 800+ | $0.7512 | $ 600.9600 |
