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Vishay Intertech SUM90330E-GE3


Fabricant
Référence Fabricant
SUM90330E-GE3
Référence EBEE
E87325094
Boîtier
TO-263(D2PAk)
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
200V 35.1A 125W 37.5mΩ@10V,12.2A 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAk) MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$1.9816$ 1.9816
200+$0.7912$ 158.2400
500+$0.7651$ 382.5500
800+$0.7512$ 600.9600
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Fiche TechniqueVISHAY SUM90330E-GE3
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+175℃@(Tj)
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)200V
Courant de drainage continu (Id)35.1A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)37.5mΩ@10V,12.2A
Dissipation de puissance (Pd)125W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)4V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)11pF@100V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)1.172nF@100V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)32nC@10V

Guide d’achat

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