| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SUM90100E-GE3 |
| Référence EBEE | E83291118 |
| Boîtier | TO-263(D2PAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 150A 250W 0.0114Ω@10V,16A 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAK) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0237 | $ 3.0237 |
| 200+ | $1.1712 | $ 234.2400 |
| 500+ | $1.1286 | $ 564.3000 |
| 800+ | $1.1091 | $ 887.2800 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SUM90100E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 150A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.0114Ω@10V,16A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 250W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 12pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3.93nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 56.7nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0237 | $ 3.0237 |
| 200+ | $1.1712 | $ 234.2400 |
| 500+ | $1.1286 | $ 564.3000 |
| 800+ | $1.1091 | $ 887.2800 |
