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Vishay Intertech SIRA60DP-T1-GE3


Fabricant
Référence Fabricant
SIRA60DP-T1-GE3
Référence EBEE
E8467954
Boîtier
PowerPAK-SO-8
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
30V 56A 5W 0.00094Ω@10V,100A 1.1V@250uA 1 N-Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
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10+$0.7621$ 7.6210
30+$0.6843$ 20.5290
100+$0.6065$ 60.6500
500+$0.5065$ 253.2500
1000+$0.4811$ 481.1000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueVishay Intertech SIRA60DP-T1-GE3
RoHS
TypeN-Channel
RDS (on)0.94mΩ@10V
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)191pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation5W
Drain to Source Voltage30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.1V
Current - Continuous Drain(Id)56A
Ciss-Input Capacitance7.65nF
Output Capacitance(Coss)2.32nF
Gate Charge(Qg)38nC@10V

Guide d’achat

Développer