| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SIHP186N60EF-GE3 |
| Référence EBEE | E85900034 |
| Boîtier | TO-220AB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 18A 193mΩ@10V,9.5A 156W 3V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1494 | $ 5.1494 |
| 200+ | $2.0554 | $ 411.0800 |
| 500+ | $1.9861 | $ 993.0500 |
| 1000+ | $1.9532 | $ 1953.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SIHP186N60EF-GE3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 18A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 193mΩ@10V,9.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 156W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 52pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.081nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 32nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1494 | $ 5.1494 |
| 200+ | $2.0554 | $ 411.0800 |
| 500+ | $1.9861 | $ 993.0500 |
| 1000+ | $1.9532 | $ 1953.2000 |
