| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SIHP14N50D-E3 |
| Référence EBEE | E85753931 |
| Boîtier | TO-220AB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 9A 400mΩ@10V,7A 208W 5V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8643 | $ 3.8643 |
| 200+ | $1.5425 | $ 308.5000 |
| 500+ | $1.4913 | $ 745.6500 |
| 1000+ | $1.4658 | $ 1465.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SIHP14N50D-E3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 9A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 400mΩ@10V,7A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 208W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.144nF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 58nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8643 | $ 3.8643 |
| 200+ | $1.5425 | $ 308.5000 |
| 500+ | $1.4913 | $ 745.6500 |
| 1000+ | $1.4658 | $ 1465.8000 |
