| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SIHF7N60E-E3 |
| Référence EBEE | E83290253 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 5A 0.6Ω@10V,3.5A 31W 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6218 | $ 1.6218 |
| 200+ | $0.6282 | $ 125.6400 |
| 500+ | $0.6069 | $ 303.4500 |
| 1000+ | $0.5963 | $ 596.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SIHF7N60E-E3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.6Ω@10V,3.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 31W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 680pF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 40nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6218 | $ 1.6218 |
| 200+ | $0.6282 | $ 125.6400 |
| 500+ | $0.6069 | $ 303.4500 |
| 1000+ | $0.5963 | $ 596.3000 |
