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Vishay Intertech SIHF18N50D-E3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SIHF18N50D-E3 |
| Référence EBEE | E86228059 |
| Boîtier | TO-220F |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 11A 280mΩ@10V,9A 39W 5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SIHF18N50D-E3 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 280mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 14pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 39W | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 131pF | |
| Gate Charge(Qg) | 76nC@10V |
Guide d’achat
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