Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
Vishay Intertech SIHA6N65E-E3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SIHA6N65E-E3 |
| Référence EBEE | E83290251 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 18A 0.6Ω@10V,3A 31W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3753 | $ 1.3753 |
| 200+ | $0.5323 | $ 106.4600 |
| 500+ | $0.5146 | $ 257.3000 |
| 1000+ | $0.5040 | $ 504.0000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SIHA6N65E-E3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 18A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.6Ω@10V,3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 31W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 8pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 820pF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 48nC@10V |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3753 | $ 1.3753 |
| 200+ | $0.5323 | $ 106.4600 |
| 500+ | $0.5146 | $ 257.3000 |
| 1000+ | $0.5040 | $ 504.0000 |
