Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
Vishay Intertech SIE818DF-T1-E3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SIE818DF-T1-E3 |
| Référence EBEE | E8506605 |
| Boîtier | PolarPAK-10 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 75V 60A 0.0095Ω@10V,60A 5.2W 1.5V@250uA 1 N-channel PolarPAK-10 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9124 | $ 0.9124 |
| 10+ | $0.8929 | $ 8.9290 |
| 30+ | $0.8449 | $ 25.3470 |
| 100+ | $0.8308 | $ 83.0800 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SIE818DF-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 75V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 60A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.0095Ω@10V,60A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 5.2W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3.2nF@38V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 33nC@10V |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9124 | $ 0.9124 |
| 10+ | $0.8929 | $ 8.9290 |
| 30+ | $0.8449 | $ 25.3470 |
| 100+ | $0.8308 | $ 83.0800 |
