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Vishay Intertech SIE810DF-T1-E3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SIE810DF-T1-E3 |
| Référence EBEE | E87011024 |
| Boîtier | PolArPAK-10 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 25A 1.4mΩ@10V,25A 1.3V@250uA 1 N-channel PolArPAK-10 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7194 | $ 4.7194 |
| 200+ | $1.8839 | $ 376.7800 |
| 500+ | $1.8211 | $ 910.5500 |
| 1000+ | $1.7899 | $ 1789.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SIE810DF-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 25A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.4mΩ@10V,25A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 5.2W;125W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1000pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 13nF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 300nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7194 | $ 4.7194 |
| 200+ | $1.8839 | $ 376.7800 |
| 500+ | $1.8211 | $ 910.5500 |
| 1000+ | $1.7899 | $ 1789.9000 |
