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Vishay Intertech SIE802DF-T1-E3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SIE802DF-T1-E3 |
| Référence EBEE | E86816575 |
| Boîtier | PolArPAK-10 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 60A 1.9mΩ@10V,23.6A 2.7V@250uA 1 N-channel PolArPAK-10 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7845 | $ 5.7845 |
| 200+ | $2.3093 | $ 461.8600 |
| 500+ | $2.2309 | $ 1115.4500 |
| 1000+ | $2.1926 | $ 2192.6000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SIE802DF-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 60A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.9mΩ@10V,23.6A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 5.2W;125W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.7V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 7nF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 160nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7845 | $ 5.7845 |
| 200+ | $2.3093 | $ 461.8600 |
| 500+ | $2.2309 | $ 1115.4500 |
| 1000+ | $2.1926 | $ 2192.6000 |
