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Vishay Intertech SI8808DB-T2-E1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI8808DB-T2-E1 |
| Référence EBEE | E8145290 |
| Boîtier | BGA-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 1.8A 95mΩ@4.5V,1A 500mW 900mV@250uA 1 N-channel BGA-4 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7207 | $ 0.7207 |
| 10+ | $0.7066 | $ 7.0660 |
| 30+ | $0.6959 | $ 20.8770 |
| 100+ | $0.6852 | $ 68.5200 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SI8808DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 1.8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 95mΩ@4.5V,1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 500mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 900mV@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 330pF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 10nC@8V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7207 | $ 0.7207 |
| 10+ | $0.7066 | $ 7.0660 |
| 30+ | $0.6959 | $ 20.8770 |
| 100+ | $0.6852 | $ 68.5200 |
