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Vishay Intertech SI8499DB-T2-E1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI8499DB-T2-E1 |
| Référence EBEE | E8553990 |
| Boîtier | MicroFoot-7 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 7.8A 0.032Ω@4.5V,1.5A 2.77W 1.3V@250uA 1 Piece P-Channel MicroFoot-7 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 1+ | $0.6279 | $ 0.6279 |
| 10+ | $0.5001 | $ 5.0010 |
| 30+ | $0.4355 | $ 13.0650 |
| 100+ | $0.3724 | $ 37.2400 |
| 500+ | $0.3345 | $ 167.2500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SI8499DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 32mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 20pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.77W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 250pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 100+ | $0.3724 | $ 37.2400 |
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