| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI8497DB-T2-E1 |
| Référence EBEE | E8727373 |
| Boîtier | UFBGA-6 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 5.9A 53mΩ@4.5V,1.5A 500mV@250uA 1 Piece P-Channel UFBGA-6 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2640 | $ 0.2640 |
| 200+ | $0.1022 | $ 20.4400 |
| 500+ | $0.0987 | $ 49.3500 |
| 1000+ | $0.0968 | $ 96.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SI8497DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 5.9A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 53mΩ@4.5V,1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2.77W;13W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 500mV@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 102pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.32nF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 49nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2640 | $ 0.2640 |
| 200+ | $0.1022 | $ 20.4400 |
| 500+ | $0.0987 | $ 49.3500 |
| 1000+ | $0.0968 | $ 96.8000 |
