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Vishay Intertech SI8483DB-T2-E1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI8483DB-T2-E1 |
| Référence EBEE | E8142558 |
| Boîtier | BGA-6 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 12V 16A 26mΩ@4.5V,1.5A 800mV@250uA 1 Piece P-Channel BGA-6 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3331 | $ 1.3331 |
| 10+ | $1.1733 | $ 11.7330 |
| 30+ | $1.0846 | $ 32.5380 |
| 100+ | $0.9869 | $ 98.6900 |
| 500+ | $0.9425 | $ 471.2500 |
| 1000+ | $0.9231 | $ 923.1000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SI8483DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 12V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 16A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 26mΩ@4.5V,1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2.77W;13W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 800mV@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.84nF@6V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 65nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3331 | $ 1.3331 |
| 10+ | $1.1733 | $ 11.7330 |
| 30+ | $1.0846 | $ 32.5380 |
| 100+ | $0.9869 | $ 98.6900 |
| 500+ | $0.9425 | $ 471.2500 |
| 1000+ | $0.9231 | $ 923.1000 |
