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Vishay Intertech SI8472DB-T2-E1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI8472DB-T2-E1 |
| Référence EBEE | E8143657 |
| Boîtier | UFBGA-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 3.3A 1.1W 0.044Ω@4.5V,1.5A 900mV@250uA 1 N-channel UFBGA-4 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0926 | $ 1.0926 |
| 10+ | $1.0726 | $ 10.7260 |
| 30+ | $1.0603 | $ 31.8090 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SI8472DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 70mΩ@1.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@8V |
Guide d’achat
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| 10+ | $1.0726 | $ 10.7260 |
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