| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI8406DB-T2-E1 |
| Référence EBEE | E8727450 |
| Boîtier | MicroFoot-6 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 7.8A 33mΩ@4.5V,1A 400mV@250uA 1 N-channel MicroFoot-6 MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7312 | $ 0.7312 |
| 200+ | $0.2827 | $ 56.5400 |
| 500+ | $0.2736 | $ 136.8000 |
| 1000+ | $0.2681 | $ 268.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SI8406DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 7.8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 33mΩ@4.5V,1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2.77W;13W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 400mV@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 61pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 830pF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 20nC@8V |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7312 | $ 0.7312 |
| 200+ | $0.2827 | $ 56.5400 |
| 500+ | $0.2736 | $ 136.8000 |
| 1000+ | $0.2681 | $ 268.1000 |
