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Vishay Intertech SI2343DS-T1-E3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI2343DS-T1-E3 |
| Référence EBEE | E8144996 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 4A 0.053Ω@10V,4A 1.25W 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9803 | $ 0.9803 |
| 10+ | $0.8019 | $ 8.0190 |
| 30+ | $0.7135 | $ 21.4050 |
| 100+ | $0.6251 | $ 62.5100 |
| 500+ | $0.5528 | $ 276.4000 |
| 1000+ | $0.5255 | $ 525.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY SI2343DS-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 86mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 105pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 540pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 131pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9803 | $ 0.9803 |
| 10+ | $0.8019 | $ 8.0190 |
| 30+ | $0.7135 | $ 21.4050 |
| 100+ | $0.6251 | $ 62.5100 |
| 500+ | $0.5528 | $ 276.4000 |
| 1000+ | $0.5255 | $ 525.5000 |
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