| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI2309CDS-T1-GE3 |
| Référence EBEE | E810493 |
| Boîtier | SOT-23-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 1.6A 0.345Ω@10V,1.25A 1W 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1580 | $ 0.7900 |
| 50+ | $0.1256 | $ 6.2800 |
| 150+ | $0.1118 | $ 16.7700 |
| 500+ | $0.0944 | $ 47.2000 |
| 3000+ | $0.0867 | $ 260.1000 |
| 6000+ | $0.0821 | $ 492.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Vishay Intertech SI2309CDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 450mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 20pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 210pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 28pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1580 | $ 0.7900 |
| 50+ | $0.1256 | $ 6.2800 |
| 150+ | $0.1118 | $ 16.7700 |
| 500+ | $0.0944 | $ 47.2000 |
| 3000+ | $0.0867 | $ 260.1000 |
| 6000+ | $0.0821 | $ 492.6000 |
