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Vishay Intertech SI2304DDS-T1-GE3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI2304DDS-T1-GE3 |
| Référence EBEE | E856372 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 3.6A 0.06Ω@10V,3.2A 1.1W 2.2V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0835 | $ 0.4175 |
| 50+ | $0.0680 | $ 3.4000 |
| 150+ | $0.0602 | $ 9.0300 |
| 500+ | $0.0544 | $ 27.2000 |
| 3000+ | $0.0450 | $ 135.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Vishay Intertech SI2304DDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 60mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 17pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 235pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.1nC@10V |
Guide d’achat
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| 50+ | $0.0680 | $ 3.4000 |
| 150+ | $0.0602 | $ 9.0300 |
| 500+ | $0.0544 | $ 27.2000 |
| 3000+ | $0.0450 | $ 135.0000 |
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