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Vishay Intertech SI1308EDL-T1-GE3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI1308EDL-T1-GE3 |
| Référence EBEE | E8469327 |
| Boîtier | SOT-323 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 1.5A 400mW 0.132Ω@10V,1.4A 1.5V@250uA 1 N-Channel SOT-323 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1543 | $ 0.7715 |
| 50+ | $0.1265 | $ 6.3250 |
| 150+ | $0.1126 | $ 16.8900 |
| 500+ | $0.1021 | $ 51.0500 |
| 3000+ | $0.0842 | $ 252.6000 |
| 6000+ | $0.0801 | $ 480.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Vishay Intertech SI1308EDL-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 132mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 11pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 400mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 105pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 23pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.4nC@10V |
Guide d’achat
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|---|---|---|
| 5+ | $0.1543 | $ 0.7715 |
| 50+ | $0.1265 | $ 6.3250 |
| 150+ | $0.1126 | $ 16.8900 |
| 500+ | $0.1021 | $ 51.0500 |
| 3000+ | $0.0842 | $ 252.6000 |
| 6000+ | $0.0801 | $ 480.6000 |
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