| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRFIBC40GPBF |
| Référence EBEE | E86211056 |
| Boîtier | TO-220-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 2.2A 1.2Ω@10V,2.1A 40W 2V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6933 | $ 5.6933 |
| 200+ | $2.2726 | $ 454.5200 |
| 500+ | $2.1959 | $ 1097.9500 |
| 1000+ | $2.1595 | $ 2159.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY IRFIBC40GPBF | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 2.2A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,2.1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 40W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 30pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.3nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 60nC@10V |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6933 | $ 5.6933 |
| 200+ | $2.2726 | $ 454.5200 |
| 500+ | $2.1959 | $ 1097.9500 |
| 1000+ | $2.1595 | $ 2159.5000 |
