| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRFD123PBF |
| Référence EBEE | E8727551 |
| Boîtier | HVMDIP-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 0.94A 270mΩ@10V,780mA 1.3W 2V@250uA 1 N-channel HVMDIP-4 MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4893 | $ 1.4893 |
| 10+ | $1.2691 | $ 12.6910 |
| 30+ | $1.1485 | $ 34.4550 |
| 100+ | $0.9674 | $ 96.7400 |
| 500+ | $0.9071 | $ 453.5500 |
| 1000+ | $0.8804 | $ 880.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY IRFD123PBF | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 0.94A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 270mΩ@10V,780mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.3W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 34pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 360pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 16nC@10V |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4893 | $ 1.4893 |
| 10+ | $1.2691 | $ 12.6910 |
| 30+ | $1.1485 | $ 34.4550 |
| 100+ | $0.9674 | $ 96.7400 |
| 500+ | $0.9071 | $ 453.5500 |
| 1000+ | $0.8804 | $ 880.4000 |
