| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRFBF20LPBF |
| Référence EBEE | E85772296 |
| Boîtier | I2PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 900V 1.1A 8Ω@10V,1A 4V@250uA 1 N-channel I2PAK MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2692 | $ 3.2692 |
| 200+ | $1.3051 | $ 261.0200 |
| 500+ | $1.2613 | $ 630.6500 |
| 1000+ | $1.2395 | $ 1239.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY IRFBF20LPBF | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 900V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 1.1A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 8Ω@10V,1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 3.1W;54W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 18pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 490pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 38nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2692 | $ 3.2692 |
| 200+ | $1.3051 | $ 261.0200 |
| 500+ | $1.2613 | $ 630.6500 |
| 1000+ | $1.2395 | $ 1239.5000 |
