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Vishay Intertech IRFBE30SPBF


Fabricant
Référence Fabricant
IRFBE30SPBF
Référence EBEE
E8506483
Boîtier
D2PAK(TO-263)
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
800V 4.1A 3Ω@10V,2.5A 125W 2V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263AB) MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$4.2056$ 4.2056
10+$3.6287$ 36.2870
50+$3.2835$ 164.1750
100+$2.9367$ 293.6700
500+$2.7759$ 1387.9500
1000+$2.7034$ 2703.4000
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$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Fiche TechniqueVISHAY IRFBE30SPBF
RoHS
TypeN-Channel
RDS (on)3Ω@10V
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)190pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation125W
Drain to Source Voltage800V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2V
Current - Continuous Drain(Id)4.1A
Ciss-Input Capacitance1.3nF
Output Capacitance(Coss)310pF
Gate Charge(Qg)78nC@10V

Guide d’achat

Développer