| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF830LPBF |
| Référence EBEE | E83281520 |
| Boîtier | TO-262-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 2.9A 1.5Ω@10V,2.7A 74W 2V@250uA 1 N-channel TO-262-3 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6113 | $ 1.6113 |
| 200+ | $0.6247 | $ 124.9400 |
| 500+ | $0.6016 | $ 300.8000 |
| 1000+ | $0.5910 | $ 591.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY IRF830LPBF | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 2.9A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.5Ω@10V,2.7A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 74W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 68pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 610pF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 38nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6113 | $ 1.6113 |
| 200+ | $0.6247 | $ 124.9400 |
| 500+ | $0.6016 | $ 300.8000 |
| 1000+ | $0.5910 | $ 591.0000 |
